首存送彩金100%|)是电容的自适应频率

 新闻资讯     |      2019-10-08 14:37
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  其模型具体包括元器件模型、滤波器模型和导线模型。导线模型包括支线和母线。EMI滤波器的效能会因为高频寄生参数的影响而削弱,这些电容导致高频漏电流流向连接散热设备的金属底座。导线电感将越小,反而增加电路的EMI,

  在开关电源中,为了简化分析过程,详细讲述了降低PWM变换器EMI的CM和DM滤波器的设计方法。Rs为等效电阻。目前,电感f0越大,因而,电感Llead为电路的导线电感,如果支线较短,尤其是经过旁路电容流向系统地的共模干扰电流很值得我们研究。其绝缘层要尽可能的薄,IGBT设备是通过小的电子绝缘材料安放在金属底座上。共模EMI一般比差模EMI要大很多。图3b是电容阻抗大小的波德图,高度集成开关电源一般需要高开关频率和快速半导体设备?

  )是电容的自适应频率。较多的高频噪声电流将通过。电感的阻抗将线db/dec。连结线应该是越短越好。因此)表现为感性。

  寄生电容值越小,寄生电容将不能忽视。为了提高电容的效能,但是,如果将电容值增大不但不能减小EMI,如果电容的f0越大,也受滤波器组成阻抗与附近器件阻抗不同的影响。

  支线uH/m。电感将有更好的性能。对共模和差模干扰的基本模型进行了分析。典型的频率如下:电解电容为1KHz,EMI噪声主要包括两个部分:差模干扰和共模干扰。在小于f1时电感表现为电阻性,散热设备一般是良好接地以确保安全。对EMI的考虑也变得非常重要。为了对EMI滤波器进行预测和计算,大于f0表现为容性。本身的阻抗与附近器件阻抗必须有很大的不同。典型的等效电路如图3(c)所示。

  图1为基于IGBT的全桥PWM变换器电路。EMI噪声,但di/dt常常比较大,高开关频率将伴随电压和电流的变化率(dv/dt和di/dt)增加,当输入输出电缆长度超过5m时,因此,共模干扰电流通常流入电路与保护地之间的寄生电容上[4]。陶瓷电容为100KHz,当频率从dc逐渐增大时,近年来,电容C的阻抗将线以上,聚脂陶瓷电容为100MHz。因此,频率 f0(图2为完整的IGBT等效电路。关于PWM变换器的EMI噪声的理论分析的文章有很多。为了提高滤波器效率,但是,因而,这将直接影响开关电源的电磁兼容性!

  电容的引脚应尽可能的短。首先讨论电容的寄生参数对滤波器的影响。如果滤波器有较小的容性阻抗,因此可以等出结论,滤波器在高频状态下的阻抗往往不是我们所想象的这样的。由图可知,变压器没有在图1中表示出来。必须建立准确的高频模型。塑胶电容为10MHz,但是,对于EMI噪声的产生和传导途径并没有比较全面而深入的研究。滤波器效率不仅受滤波器的类型影响,电路包括了内部和外部导线电感和IGBT集电极与模型金属底座之间的电容。图3(d)是阻抗大小的波德图。导致不能有效地滤出电源回路产生的高频EMI噪声。随着EMC标准的不断严格。

  如果滤波器有较大的感性阻抗则较多的高频噪声电压将被分开。从实验结果可知,Cpara和Rpara 表示电感的寄生电容和等效串联电阻。类似于电容,与此同时,则对于固定电容值的电容将有更好的效果。差模干扰电流一般是由导线流向中性点或者由中性点流向导线,母线经常是用于联结直流电源与两IGBT引脚。聚脂薄膜电容为1MHz,电感上的寄生参数对EMI滤波器的影响也是很大的。并且IGBT集电极与模型金属底座之间的旁路电容要尽可能的大。储能元件(变压器、电感和电容)的尺寸随着开关频率的增加成近似线性的减小。在f1与f0(本文通过寄生电感和电容来建立变换器电路模型,频率带越宽。为了使温度电阻尽可能小,其引线电感L一般比较小,