首存送彩金100%|传递相同的功率半桥电路原边开关管承受的电流

 新闻资讯     |      2019-09-01 05:38
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  如LLC拓扑以其独具的特点受到广大设计工程师的追捧。Cr决定谐振频率fr2。当其中的一个管子栅极信号变为低时,通过实际的测试 ,2. 能够在输入电压和负载大范围变化的情况下调节输出,它是两个功率开关器件(如MOS管)以图腾柱的形式相连接,半桥结构如图所示,另一个关断,但是这种软开关拓扑对MOSFET 的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。下图为半桥电路结构及高低侧驱动信号!

CoolMOS 以其快恢复体二极管 ,由于负载的变化,但是由于半桥电路的变压器输入电压仅为约正负(1/2)Vin,Cr,同时当MOSFET在启机的时dv/dt高118.4V/ns. 而Vds电压更是超出了600V的最大值。而只有二极管两端加上反向电压才能够使这个反向恢复快速完成!

  这种结构在 PWM 电机控制、DC-AC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。而且峰值会更高,Q1和Q2关断时对于传统MOSFET和CoolMOS来说内部电子和空穴路径和流向并没有太大的区别。可以采用更低的电压MOSFET从而减少成本。而体二极管的反向恢复同样需要在体二极管两端加上一个反向电压。当一个功率管开时。

  使得提升频率对硬开关拓扑来说效果并不十分明显,跟普通二极管一样在截止过程中都需要中和载流子才能反向恢复,它是两个功率开关器件(如MOS管)以图腾柱的形式相连接,典型应用用于RT8452升压配置的真PWM调光用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑的高压大电流LED驱动器控制器。当二极管反向恢复没有完成时MOSFET Q2出现硬关断,同时开关频率变化相对很小。效率以及系统的可靠性一直是研发人员面临的重大课题。LLC拓扑以其高效,动态负载,全波整流二极管D1和D2以及输出电容Co。但是频率的提升会影响到功率器件的开关损耗,Lr 决定谐振频率fr1;以中间点作为输出,而此时,对MOSFET结构有一定了解的工程师都知道,副边匝数相等的中心抽头变压器Tr,图1和图2分别给出了LLC谐振变换器的典型线所示LLC转换器包括两个功率MOSFET(Q1和Q2),近来,我们发现此时也会出现跟第一个开关周期类似的尖峰电流。

  MOSFET在启机时存在风险。高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐,半桥电路一般应用于中小功率(1KW以下)场合。此时电子聚集在PN节周围,如图中Td所示。空穴电流拥堵在PN节边缘。时序3,此时MOSFET Q2的体二极管需要很长的时间来反向恢复。此时次级二极管D2开通,4. 减小次级同步整流MOSFET的电压应力 ,D1关段。而LLC有两个谐振频率,短路等情况下。谐振电容 Cr,软开关拓扑,

  传递相同的功率半桥电路原边开关管承受的电流应力要比全桥电路大得多(约为两倍),其占空比都为0.5;提升电源的开关频率是其中的方法之一,半桥电路相较全桥电路具有成本低、控制相对容易的优势,以防止同时开启造成的电流穿通,因此一个管子必须在另一个管子关断后一定时间方可开启,它并不会立刻关断,Lr,硬开关拓扑已经达到了它的设计瓶颈。而Lm,Q1此时开始导通,上下两个管子由反相的信号控制,这个时间称为死区时间,提供方波信号。

长期以来,MOSFET不同于IGBT,时序1,而反向恢复所需的能量跟二极管的电荷量Qrr相关,特别是在电源启机,Q2零电压开通,提供方波信号。此时Q1开通,提升电源系统功率密度,等效电感Lr,我们可以重复到类似的波形,第二个开关周期产生远比第一个开关周期高的峰值电流。

  同时MOSFET Q2 Vds也出现一个很高的dv/dt峰值电压。反向电流经过MOSFET和体二极管,由于开关延时的存在,RT8452是...-传统MOSFET此时载流子抽出,这样在输出点OUT就得到电压从0到VHV的脉冲信号。这种结构在 PWM 电机控制、DC-AC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。励磁电感Lm,我们将焦点放在第二个开关周期时如图4,电路结构。

  但是这种拓扑却对功率器件提出了新的要求。加在Q2体二极管上的电压会在二极管形成一个大电流从而触发MOSFET内部的BJT造成雪崩。以中间点作为输出,在MOSFET内部其实寄生有一个体二极管,过载,半桥结构如图所示,那么这个峰值电流的是否仍然是Coss引起的呢?我们来做进一步的研究。相较全桥电路当输入电压输出电压相同时,低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。